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芯片型号 芯片描述 制造厂商
12-300V NP MOSFET 提供的12V~100V Complementary（N、P型互补式）MOSFET产品 无锡新洁能
600-650V IGBT 提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件 无锡新洁能
TPA120R800A 一种新型功率器件 无锡紫光微电子有限公司
TPA90R350A 一种新型功率器件 无锡紫光微电子有限公司
TPB120R800A 一种新型功率器件 无锡紫光微电子有限公司
TPW120R800A 一种新型功率器件 无锡紫光微电子有限公司
TPA120R1K5A 一种新型功率器件 无锡紫光微电子有限公司
CI1002 支持离线NN加速运算 硬件VAD/低功耗唤醒 启英泰伦
CI1006 支持离线NN加速运算 硬件VAD/低功耗唤醒 启英泰伦
CI1102 支持离线NN加速运算 硬件VAD/低功耗唤醒 语音信号处理硬件加速 启英泰伦
CI1103 支持离线NN加速运算 硬件VAD/低功耗唤醒 语音信号处理硬件加速 启英泰伦
CI1122 支持离线NN加速运算 硬件VAD/低功耗唤醒 语音信号处理硬件加速 启英泰伦
KX1001-AR 特种芯片 一款基于 ISO/IEC 15693 协议的高频电子标签芯片 四川凯路威电子有限公司
KX1010P 采用全球自主独创的 X-RFID 技术专利，基于领先 XLPM技术 四川凯路威电子有限公司
KX1207 内置商密算硬件加密电路的新型高频电子标签芯片 四川凯路威电子有限公司
ONLY 1 极简芯片支持单端偶极子天线接口 四川凯路威电子有限公司
KX2005XG 具有不同容量用户区，提供可扩展的TID长度和EPC长度，供不同应用选择 四川凯路威电子有限公司
GST612W 在整个晶圆片上完成高真空封装测试程序之后，再进行划片切割制成单个红外探测器的工艺流程 武汉高德红外股份有限公司
GST412W 在整个晶圆片上完成高真空封装测试程序之后，再进行划片切割制成单个红外探测器的工艺流程 武汉高德红外股份有限公司
GST212W 在整个晶圆片上完成高真空封装测试程序之后，再进行划片切割制成单个红外探测器的工艺流程 武汉高德红外股份有限公司
C1212M中波 全面掌握研制碲镉汞制冷红外探测器的元素提纯、衬底、外延、芯片、电路、制冷机及封装测试全套技术 武汉高德红外股份有限公司
C615M中波 全面掌握研制碲镉汞制冷红外探测器的元素提纯、衬底、外延、芯片、电路、制冷机及封装测试全套技术 武汉高德红外股份有限公司
AR一体机 基于高通骁龙XR1平台的AR一体机参考设计，采用Micro LED+衍射光波导光学显示方案 歌尔股份有限公司
LTF7263 10G EPON STICK 海信宽带
LTF7267 XGSPON STICK 海信宽带
LTE3415 GPON STICK 海信宽带
1G PON STICK 海信宽带
STICK光模块 XGS PON STICK 海信宽带
HR7P90J 应用白色家电、工业控制和汽车电子等领域 青岛东软载波科技股份有限公司
ES7P202x 应用 触摸按键显示面板、智能门锁、小家电、白色家电领域 青岛东软载波科技股份有限公司
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