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芯片型号 芯片描述 制造厂商
CGC1S06506-TO220 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGC1S06510-TO220 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGC1S12010-TO220 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGD1S06506-TO252 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGD1S06510-TO252 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGD1S12010-TO252 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGE1S06520-TO247 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGE1S12020-TO247 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGE1S12040-TO247 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGK1S12020-TO247-2L 电压：650V-1200V 电流：6A-40A 碳化硅肖特基二极管 北京世纪金光半导体有限公司
CGE1M090065-TO247 电压：900-1200V 电阻：65-80mΩ 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 北京世纪金光半导体有限公司
CGE1M120080-TO247 电压：900-1200V 电阻：65-80mΩ 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 北京世纪金光半导体有限公司
SMB-05L56 北京伊泰克电子有限公司
SMB-05L57 北京伊泰克电子有限公司
SMB-3.3L51(52) 北京伊泰克电子有限公司
KSR-5.0V4M1 北京伊泰克电子有限公司
KSR-5.0V2M2 北京伊泰克电子有限公司
KSR-5.0V1M2 北京伊泰克电子有限公司
SMB-05L51(52) 北京伊泰克电子有限公司
BU941ZP 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
BU941ZB 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
BU931ZM 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
BU931ZL 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
D1071 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
D1071S 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
D1073B 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
TIP142 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
TIP142H 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
TIP147 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
TIP122 用于驱动高压电子点火线圈和点机控制 丹东华奥电子有限公司
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