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芯片型号 芯片描述 制造厂商
CGE1M090065-TO247 电压:900-1200V 电阻:65-80mΩ 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 北京世纪金光半导体有限公司
CGE1M120080-TO247 电压:900-1200V 电阻:65-80mΩ 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 北京世纪金光半导体有限公司
2SF292200SYL 超快恢复二极管芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD037060NEJL 带稳压管ESD保护结构的N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD039060JL-180 N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD040060NEJL 带稳压管ESD保护结构的N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD041030NEJL 带稳压管ESD保护结构的N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD043060JL N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD045060JL N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD050060NEJL 带稳压管ESD保护结构的N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD060060NEJL 带稳压管ESD保护结构的N沟道MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD169600YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD173600YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD186600YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD186700YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD199700YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD212600YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD212800YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD235600YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD235700YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD238650YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD297600YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD297650YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD298400YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD298500YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD324400YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD324500YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
3VD324600YL 高压MOSFET芯片 杭州士兰微电子股份有限公司
DXG20N65FS 宁波达新半导体有限公司
DXG40N65HS 宁波达新半导体有限公司