芯片分类

芯片列表

芯片型号	芯片描述	制造厂商
SMB-05L56		北京伊泰克电子有限公司
SMB-05L57		北京伊泰克电子有限公司
SMB-3.3L51(52)		北京伊泰克电子有限公司
KSR-5.0V4M1		北京伊泰克电子有限公司
KSR-5.0V2M2		北京伊泰克电子有限公司
KSR-5.0V1M2		北京伊泰克电子有限公司
SMB-05L51(52)		北京伊泰克电子有限公司
2ES032XXXZ1JL系列	瞬态电压抑制二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
2ES050067Z1PYL系列	瞬态电压抑制二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
2ES050XXXZ1YL系列	瞬态电压抑制二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
2SF145200SYL	超快恢复二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
2SF145400SYL	超快恢复二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
2SF160400SYL	超快恢复二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
2SF162200SYL	超快恢复二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
2SF180200SYL	超快恢复二极管芯片	杭州士兰微电子股份有限公司
P4SMA	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司
SMAJ	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司
P6KE	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司
P6SMB	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司
SMBJ	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司
1.5KE	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司
1.5SMC	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司
SMCJ	TVS保护二极管芯片制作采用GPP工艺，制作出的产品具有可靠性高、反向电压集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特点。	天津中环半导体股份有限公司

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